[физикам (химикам ?)] вопрос про полупроводники и запрещенную зону

RUSTEANA2003

Если посмотреть на спектральную кривую чувствительности ПЗС матриц, CCD-матриц, фотодиодов ... или как там их еще назвать ...
то можно наблюдать "холм" с максимумом чувствительности в районе 600-800 нм (если матрица изготовлена на основе кремния)
и спады в более красных и более синих областях.
Спад в области ИК по-видимому объясняется весьма просто:
В полупроводниках имеется запрещенная зона (перекрытие между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости) соответственно энергия фотона должна быть не ниже, чем это перекрытие.
Первый главный вопрос такой:
С чем связан спад в области УФ ?
Другой вопрос - почему граница в области ИК не вполне резкая,
какой казалось должна быть в условиях наличия запрещенной зоны?
----------------------------------------------------------------------------------------
_________
----------------------------------------------------------------------------------------

RUSTEANA2003

Либо же ссылку дайте - что поботать

RUSTEANA2003

В ответ на приват:
Для начала поботай Калашникова - Бонч-Бруевича на тему зонной структурыпп. и зонной диаграммы p-n- переходов. Затем можешь посмотреть надругие материалы, например, GaN. И еще не очень понятно из чего сделаныэти матрицы. Если они из a-Si:H, или что-то подобное, то это уже совсемдругая история.
У меня где-то была хорошая обзорная статья пофотоприемникам на GaN, но сейчас не могу найти. Один из авторов СтасяКеллер. Если очень интересует, то поищу.
На самом деле насколько я понимаю,
завал в области синих волн наблюдается не только на кремниевых фотоприемниках,
но и на GaAs, InGaAs
собственно вопрос в том - в чеем причина такого "синего" завала

взято отсюда
http://sales.hamamatsu.com/assets/pdf/catsandguides/Optosemi...

zet12345

С чем связан спад в области УФ ?
Другой вопрос - почему граница в области ИК не вполне резкая,
какой казалось должна быть в условиях наличия запрещенной зоны?
Он связан с нелинейным ростом коэффициента поглощения, который в этой области уже очень велик.
По поводу воторого вопроса:
Дело в том, что запрещенная зона только в идеальном полупроводнике действительно запрещенная - это же модель. В реальных п\п существуют примесные уровни внутри запрещенной зоны. В том же а-Si:H вообще нет запрещенной зоны, там вводится понятие щели подвижности - там вообще возможны почти любые переходы. Поэтому край размывается.
PS Калашников_Бонч-Бруевич очень дельная книжка по этой теме
Оставить комментарий
Имя или ник:
Комментарий: